گام جديدي بسوي ذخيره اطلاعات ذخيره داده در اتم‌هاي مصنوعي

نانو فيزيكدانها به شيوه نويني دست يافته‌اند كه مي‌تواند روش ذخيره‌سازي اطلاعات را بر روي رايانه ها، دگرگون سازد.
به گزارش فيزورگ، اين كشف به آن معناست كه در آينده مي‌توانيم داده ها بسيار سريعتر و دقيق تر ذخيره كنيم.

رايانه‌ها ازدو بخش مهم توان محاسباتي و حافظه تشكيل شده اند. دانشمندان پيشرفتهايي را بطور موازي در اين دو بخش حاصل كرده اند. حافظه رايانه از اجزاي مغناطيسي تشكيل مي‌شود وسيگنالهاي الكتريكي نيز محيط محاسباتي را شكل مي‌دهند.

كشف دانشمندان دانشگاه كوپنهاگ دانمارك با تلفيق مغناطيس و برق در مفهوم جديدي از ترانزيستور، گامي بسوي ارائه ابزارهاي جديد ذخيره داده برداشته اند.

يوناس هواپتمن دانشجوي دكتري و مجري اين طرح گفت ما نخستين كساني هستيم كه به كنترل الكتريكي مستقيم كوچكترين اجزاي موجود در طبيعت كه يك الكترون در حال چرخش است، دست يافته ايم.

وي افزود در آزمايشاتي خود از نانولوله‌هاي كربني بعنوان ترانزيستور استفاده كرديم و اين نانولوله‌ها را بين الكترودهاي مغناطيسي قرار و نشان داده‌ايم كه مي‌توان مسير چرخش يك الكترون واحد را كه در اين نانو لوله به دام افتاده است، بطور مستقيم با قابليت الكتريكي كنترل كرد.

مي توان اين به دام افتادن الكترون واحد در حال چرخش را در اين نانو لوله بعنوان يكم اتم مصنوعي ترسيم كرد.

چندين سال است كه كنترل الكتريكي مستقيم بر چرخش الكترون واحد، بعنوان يك احتمال نظري مطرح شده است.با اين حال برغم تلاش‌هاي بسيار در سراسر جهان اين نخستين بار است كه اين سازوكار در عمل نشان داده مي‌شود. اين كشف توجه دانشمندان بسياري را به خود جلب كرده است.

جينس پاسك يكي از اعضاي اين گروه تحقيقاتي مي‌گويد ترانزيستورها اجزاي مهم در تمامي وسايل برقي هستند. ما با مفهوم كاملا جديدي از ترانزيستورها كار كرديم كه در نانولوله‌هاي كربني و يا يك مولكول آلي جاي ترانزيستور نيمه هادي قديمي را
مي گيرد. اين كشف ما نشان مي‌دهد كه ترانزيستورهاي جديد مي‌توانند به عنوان يك حافظه مغناطيسي عمل كنند.

نتايج اين تحقيقات در نشريه فيزيك نيچر منتشر شده است.